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Trench TM
Power MOSFETs
(Electrically Isolated Tab)
IXTC110N25T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250V
= 50A
≤ 27m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
ISOPLUS220
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
250
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
250
± 20
± 30
V
V
V
G
DS
Isolated Tab
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
300
25
1
A
A
A
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, 1 Minute
Mounting Force
10
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
11..65/2.5..14.6
4
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V ～
N/lb.
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
International Standard Package
2500V~ Electrical Isolation
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
250
V
DC-DC Converters
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.0
5.0 V
± 200 nA
5 μ A
250 μ A
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Moter Drives
Uninterruptible Power Supplies
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 55A, Notes 1, 2
27 m Ω
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99841C(05/12)
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